浮带硅的制备过程中需要在惰性气体或真空腔体环境中进行,主要是为了避免硅在高温熔融状态下与空气中的氧气、氮气等气体发生反应,导致硅材料的纯度降低。在惰性气体或真空环境中制备,可以最大限度地减少硅与杂质元素的接触,从而提高硅的纯度。根据搜索结果,多数杂质在硅中的平衡分离系数小于1,因此杂质会向液态的熔融浮区移动并被带走,这是制备高纯度硅的关键步骤。此外,使用特殊掺杂技术如核心位置掺杂、小球掺杂、渗气掺杂、中子转化掺杂等,可以进一步确保杂质浓度的均匀一致性。因此,惰性气体或真空腔体环境对于制备高纯度的浮带硅至关重要。