参考资料

浮带硅（英语：Float-zone silicon）是利用垂直式区域熔炼技术所得到的高纯度硅。 ... 整个制程必须在通惰性气体或在真空腔体吹净中进行，尽可能避免污染。因多数杂质在硅中的平衡分离系数小于1，故杂质往液态之熔融浮区移动被带走。

整个制程必须在通 惰性气体 或在 真空腔体 吹净 中进行，尽可能避免污染。因多数杂质在硅中的平衡分离系数小于1，故杂质往液态之熔融浮区移动被带走。特殊掺杂技术如核心位置掺杂、小球掺杂、渗气掺杂、中子转化掺杂等等可以达成杂质浓度均匀一致。

整个制程必须在通惰性气体或在真空腔体 吹净 （ 英语 ： Air purge system ） 中进行，尽可能避免污染。因多数杂质在硅中的平衡分离系数小于1，故杂质往液态之熔融浮区移动被带走。