通过调整饱和溶液的降温速度来控制晶体的大小和形态是一个复杂的过程，涉及到溶液的过饱和度、成核速率、晶体生长速率以及溶液的粘度等多个因素。以下是一些基本的指导原则：
缓慢降温：如果降温速度较慢，可以给晶体提供更多的时间来生长，从而得到较大的晶体。这是因为缓慢降温可以减少溶液的过饱和度，从而降低成核速率，使得已有的晶体有更多的机会生长。
快速降温：相反，如果降温速度较快，溶液中的溶质会迅速达到过饱和状态，导致大量小晶体的成核。这些小晶体由于成核数量多，每个晶体的生长时间有限，因此最终得到的晶体会较小。
恒温控制：在某些情况下，保持溶液在一个恒定的温度下也可以帮助控制晶体的生长。这样可以减少由于温度变化引起的过饱和度变化，从而影响晶体的生长。
搅拌：搅拌可以增加溶液的混合均匀性，有助于控制晶体的形态。适当的搅拌可以防止晶体聚集，从而得到更均匀的晶体大小分布。
溶剂蒸发：在某些情况下，通过控制溶剂的蒸发速率也可以影响晶体的大小和形态。溶剂蒸发速率较慢时，晶体生长的时间更长，可能会得到较大的晶体。
添加晶种：在溶液中预先加入晶种可以引导晶体沿着特定的方向生长，从而控制晶体的形态。
需要注意的是，这些方法通常需要结合使用，并且需要根据具体的溶质和溶剂系统进行调整。实验条件的细微变化都可能对晶体的生长产生显著影响。因此，控制晶体生长是一个需要精确控制和细致观察的过程。