参考资料

光刻过程中使用的光源主要有以下几种常见类型，各自具有不同的特性：

1. 汞灯产生的紫外光源（UV）：这是最早的光刻机光源，波长范围大约在365nm左右，适用于0.25微米及以上制程节点。这种光源成本较低，但分辨率有限。

2. g-line和i-line光源：这两种都属于紫外光源，波长分别为436nm和365nm。它们在早期半导体制造中被广泛使用，但随着技术进步，已逐渐被更先进的光源所取代。

3. 深紫外（DUV）光源：包括KrF（248nm）和ArF（193nm）激光。DUV光源的波长较短，因此能提供更高的分辨率，适用于更精细的制程节点，如65nm至0.35微米。

4. 极紫外（EUV）光源：波长约为13.5nm，具有极高的分辨率，能够实现更小的特征尺寸，适用于10nm及以下制程节点。EUV光源技术仍在不断发展中，以满足未来更先进芯片制造的需求。

5. 电子束（EB）光源：虽然不是基于光的光源，但电子束光刻技术也用于某些特定应用，如直接写入光刻，提供极高的分辨率。

每种光源的选择都取决于所需的分辨率、生产成本和设备复杂性。随着半导体工艺节点的不断缩小，光源技术也在不断进步，以满足更高的制造要求。例如，EUV光源因其极短的波长，能够实现更高的分辨率，但同时也带来了更高的成本和设备复杂性。