参考资料

MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中的累积区形成和电容变化如下：

1. 累积区形成：当栅极电压V_G小于阈值电压V_TH时，沟道区带正电荷，形成N型半导体上的正电荷层，称为累积区。此时沟道未形成，MOSFET处于截止状态。

2. 电容变化：在累积区，栅氧层和沟道区相当于一个平行板电容器。栅极电压V_G相当于电容器的一个极板，沟道区相当于另一个极板。当V_G增加时，沟道区电荷量增加，相当于电容器带电量增加。由于电容器极板间距和介电常数不变，根据C=εA/d公式，电容基本保持不变。

3. 从截止到导通：当V_G继续增加超过V_TH后，沟道区形成N型导电沟道，MOSFET从截止状态过渡到导通状态。此时栅极电压对沟道电荷的控制作用增强，沟道区电荷量随V_G增加而指数增加，导致跨导gm增加。

4. 饱和区和线性区：MOSFET导通后，根据漏极电压V_D的不同，还可以分为饱和区和线性区。饱和区V_D较小，沟道区形成夹断区，跨导gm达到最大。线性区V_D较大，沟道区无夹断，跨导gm随V_D增加而减小。

总之，MOSFET的累积区形成和电容变化与栅极电压、沟道电荷、阈值电压等因素密切相关。通过精确控制栅极电压，可以实现对MOSFET工作状态的精确调控。