在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的C-V（电容-电压）特性中，空乏区（Depletion Region）是指在半导体材料中，由于掺杂浓度的变化或外加电场的作用，导致电荷载流子（电子或空穴）数量显著减少的区域。在MOSFET中，空乏区通常出现在半导体与绝缘层（如二氧化硅）的界面处。
MOSFET的C-V特性曲线可以反映空乏区的特性，具体如下：
线性区域（Accumulation Region）：在低电压下，半导体表面积累了多数载流子，形成线性区域。
空乏区（Depletion Region）：随着电压的增加，半导体表面的多数载流子被排斥，形成空乏区。在这一区域，C-V曲线呈现非线性变化。
反转区（Inversion Region）：当电压继续增加到一定程度，少数载流子在半导体表面积累，形成反转层，此时MOSFET开始导电。
饱和区（Saturation Region）：在更高的电压下，MOSFET进入饱和区，电流不再随电压增加而显著增加。
空乏区的存在对MOSFET的性能有重要影响，如阈值电压、跨导等参数。通过C-V特性曲线，可以分析和优化MOSFET的设计，以满足不同的应用需求。