参考资料

在光刻工艺中，软烘干和硬烘干是两个关键步骤，各自具有不同的作用：

1. 软烘干（Pre-bake/Soft Bake）：

   • 软烘干也被称为前烘，主要目的是去除光刻胶中的溶剂，以减少光刻胶中的气泡和提高光刻胶的稳定性。这个过程有助于防止在后续的曝光和显影过程中产生缺陷。
   • 软烘干通常在光刻胶涂覆后进行，温度和时间的控制对于确保光刻胶质量和防止胶膜变形至关重要。

2. 硬烘干（Hard Bake/Post-Bake）：

   • 硬烘干是在显影后进行的，目的是进一步去除光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力。
   • 硬烘干还有助于提高光刻胶在后续刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力，确保光刻胶图形的稳定性和可靠性。

通过引用的搜索结果，我们可以了解到软烘干和硬烘干的具体作用和重要性。例如，来自知乎专栏的文章《浅析硬烘烤工艺》中提到硬烘焙的作用实质上和软烘焙是一样的——通过溶液的蒸发来固化光刻胶，但硬烘焙的目标是使光刻胶和晶圆表面有良好的黏结。而《光刻技术：基础知识》中提到，在旋涂之后，软烘烤步骤的作用是减少溶剂含量，以稳定抗蚀剂薄膜。

此外，还有相关的图片资源展示了光刻工艺中的软烘干和硬烘干过程，例如：

这些步骤对于确保光刻工艺的精确性和最终产品的质量至关重要。