反转区（Inversion Region）是指在半导体材料中，通过掺杂或外加电场的作用，使得半导体的导电类型发生改变的区域。在p型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子；而在n型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。当p型半导体表面积累了足够多的电子，或者n型半导体表面积累了足够多的空穴时，表面区域的导电类型就会发生反转，形成反转区。
在C-V（电容-电压）特性曲线上，反转区的表现通常体现为曲线的非线性区域。具体来说：
积累区（Accumulation Region）：在正向偏置下，p型半导体的表面会积累电子，形成n型反转层；或者在负向偏置下，n型半导体的表面会积累空穴，形成p型反转层。在C-V曲线上，这表现为曲线在原点附近的非线性上升。
平带区（Flatband Region）：当外加电压使得半导体内部的电场为零时，称为平带条件。在C-V曲线上，平带区表现为曲线的线性部分，此时半导体的表面没有电荷积累。
耗尽区（Depletion Region）：在外加电压的作用下，半导体表面的电荷被排斥，形成耗尽区。在C-V曲线上，耗尽区表现为曲线的线性下降。
反转区（Inversion Region）：当外加电压进一步增加，使得表面区域的多数载流子被排斥，少数载流子成为主导，形成反转区。在C-V曲线上，反转区表现为曲线的非线性下降，且斜率的绝对值会随着外加电压的增加而减小。
总的来说，反转区在C-V特性曲线上的表现是曲线的非线性部分，且随着外加电压的变化，曲线的形状和斜率也会发生变化。这些变化反映了半导体表面电荷的积累、耗尽和反转过程。