参考资料

C-V特性曲线，即电容-电压特性曲线，是一种用于表征半导体材料和器件特性的重要工具。通过测量C-V特性曲线，可以测量以下半导体特性：

1. 介电常数（ε）：通过C-V曲线可以确定材料的介电常数。
2. 耗尽层宽度（W）：在MOS结构中，耗尽层宽度可以通过C-V曲线计算得出。
3. 表面态密度（Nss）：C-V曲线可以用来估算MOS结构中的表面态密度。
4. 氧化层电荷密度（Qox）：C-V曲线可以揭示氧化层中的固定电荷和陷阱电荷。
5. 界面态密度（Dit）：通过测量MOS结构的C-V曲线，可以评估半导体与氧化层界面的界面态密度。
6. 氧化层厚度（tox）：C-V曲线可以用来估算MOS结构中氧化层的厚度。
7. 掺杂浓度（Nd或Na）：通过C-V曲线可以估算半导体材料中的掺杂浓度。

C-V特性曲线的测量通常涉及在半导体器件（如MOS电容器）上施加不同的电压，并测量相应的电容变化。通过分析这些数据，可以获得有关半导体材料和器件的宝贵信息。