参考资料

忆阻器（Memristor）是继电阻器、电容器和电感器之后被公认的第四种基本电路元件。它由加州大学伯克利分校的蔡少棠教授在1971年提出，并于2008年由惠普实验室制造出来。忆阻器的电阻值不仅依赖于通过它的电荷量，而且在电源断开后仍能“记忆”这个电阻值，这与电容器和电感器有显著不同。

电容器是一种能够存储电能的被动电子元件，其特性是“隔直通交”，即允许交流电通过而阻止直流电。电容器的电容量取决于其板面积和板间距离，其存储的电荷量与跨接在其上的电压成正比。

电感器是能够存储磁能的被动电子元件，其特性是“通直阻交”，即允许直流电通过而对交流电产生阻碍。电感器的电感量取决于线圈的匝数和核心材料，其存储的磁通量与跨接在其上的电流成正比。

忆阻器与电容器和电感器的主要区别在于其电阻值依赖于历史电荷，而非即时的电压或电流。此外，忆阻器具有非线性和非易失性的特点，使其在存储器、逻辑运算和神经网络等领域具有广泛的应用前景。而电容器和电感器通常用于信号处理、能量存储和电源管理等方面。

以上信息来源于多个来源，包括《忆阻器研究新进展：基于二维材料的可耐受超高温忆阻器》、《忆阻器原理与相关应用进展综述》、《忆阻器及其阻变机理研究进展》等。